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中频机碳化硅管生产设备
中频机碳化硅管生产设备
2021-06-21T01:06:34+00:00
浅析国产碳化硅外延炉设备 知乎
2024年1月17日 受益于碳化硅下游市场需求逐步放大，国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划： 一代工艺一代设备，外延生长在SiC器件制造成本中占比 1 天前 在碳化硅器件制造设计端上，SiC二极管商业化正在逐步完善，但SiC MOS发展较面临较多难点，与国外厂商差距较大。 目前ST、英飞凌、Rohm等厂商已实现6001700V SiC MOS实量产并和多制造业达成签单 疯狂的碳化硅，国内狂追！全球半导体观察丨DRAMe
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
2023年2月26日 年碳化硅器件市场 CAGR=34% 3 图 2: 相同里程 2023年11月12日 同样6月，晶盛机电发布8英寸单片式碳化硅外延生长设备，该设备可兼容6、8英寸碳化硅外延生产，外延的厚度均匀性15%以内、掺杂均匀性4%以内，达到行 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 知乎
半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； 知乎
2023年12月5日 碳化硅生产流程主要涉及以下过程： 1）单晶生长，以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料形成碳化硅晶体；2）衬底环节，碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光、清洗等 1 天前 在碳化硅器件制造设计端上，SiC二极管商业化正在逐步完善，但SiC MOS发展较面临较多难点，与国外厂商差距较大。 目前ST、英飞凌、Rohm等厂商已实现6001700V 疯狂的碳化硅，国内狂追！ MSN
碳化硅烧结炉湖南艾普德工业技术有限公司
2020年7月2日 1碳化硅烧结炉是生产碳化硅材料的关键设备，经该设备反应烧结的碳化硅产品，具有优良的工艺性能。 产品力度均匀，反应完全、化合含量高、质量好；配有脱蜡系统，强化脱蜡效果，炉内气氛更稳定； 3 天之前 六角形 ® SE 烧结碳化硅管是挤压产品，外径有 8 mm、127 mm、14 mm 和 19 mm，长度可达 45 m。 管与管板（PTFE、PFA 内衬钢或 SiC）和一系列放置在钢或玻 Hexoloy SE 烧结碳化硅管和 SA 管板 形状
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
2020年10月21日 根据东方卫视报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管） 晶圆 于 10 月 16 日在上海正式发布。 从终端应用层上来看在碳化硅材料在高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆变、工业 2021年12月24日 第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高， 饱和电子 漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。 SIC晶体具有与GaN材料高匹配的 晶格常数 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎
2020年6月16日 半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但 2023年8月14日 什么是晶圆退火工艺？ 晶圆退火工艺是一种热处理过程，通过将晶圆加热到一定温度，并在此温度下保持一段时间，然后以受控的速度冷却，以达到改善材料的微观结构和性能的目的。 温度设定 ：退火温度的选择通常与材料的特性有关。 温度必须足够高 聊聊常见的晶圆退火工艺 知乎
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网
2023年6月30日 根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验 2010年12月6日 附件：部分工业行业淘汰落后生产工艺装备和产品指导目录（2010年本） 二 一 年十月十三日 附件： 部分工业行业淘汰落后生产工艺装备和产品指导目录 (2010年本) 一、 钢铁 1 30平方米以下烧结机 2 90平方米以下烧结机（2013年） 3 8平方米以下球团 部分工业行业淘汰落后生产工艺装备和产品指导目录（2010
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 2021年1月14日 4功率器件制造 采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。碳化 硅 产业 链 设备【详解】华为认为中高压SiC器件成熟在即 相关仪器设备需求
中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。 衬底方面，科锐和II 2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料高温
2023年1月4日 制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC沉底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。2023年8月4日 碳化硅器件的应用领域 碳化硅应用新能源汽车 新能源汽车从400V平台向800V平台跃迁已是业内共识，可使汽车电池在10内充满80%电量，解决“里程焦虑”和“充电焦虑”。 SiC逆变器使得电源频率增加，电机转速增加，相同功率下转矩减小，体积减小。造"芯”国产化的大趋势下，SiC电力电子器件模块应用的挑战与
行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023
2023年2月26日 《工业母机、碳化硅设备国产化再迎 利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高 端自主化战略意义提升—行业点评报 告》202327 证 关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报 孟鹏飞（分析师） 熊亚威（分析师） 2022年3月2日 切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫 氏硬度达 95，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能 需几百个小时，对系统设备的稳定性 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产
碳化硅晶片加工过程及难点 知乎
2022年1月21日 碳化硅晶片生产流程 碳化硅晶片以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）等生成外延片，最后制成相关器件。 1、原料合成： 将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混 2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
中国电科：国产碳化硅器件和设备取得突破 知乎
2023年4月19日 导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。 图：中电科55所生产线 4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款 750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封2019年10月30日 3、卫星通信系统、地球站设备制造及建设 4、网管监控、时钟同步、计费等通信支撑网建设 5、窄带物联网(NBIoT)、宽带物联网(eMTC)等物联网(传感网)、智能网等新业务网设备制造与建设 6、物联网(传感网)等新业务网设备制造与建设 7、宽带网络设备制 产业结构调整指导目录（2019年本）中国政府网
知乎盐选 52 PECVD 生产设备及操作
52 PECVD 生产设备及操作 在晶硅太阳电池工业生产中，减反射膜基本上都是采用 PECVD 沉积系统制备的。 本任务主要介绍 Centrotherm 公司的批处理式 PECVD 设备的基本结构和软件操作。 通过本任务的学习，熟悉设备结构、功能，并能进行设备操作和简单问题处理。2020年6月10日 碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。 其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺
碳化硅产品的应用方向和生产过程 知乎
2022年3月7日 2、衬底 长晶完成后，就进入衬底生产环节。 经过定向切割、研磨（粗研磨、精研磨）、抛光（机械抛光）、超精密抛光（化学机械抛光），得到碳化硅衬底。 衬底主要起到物理支撑、导热和导电的作用。 加工的难点在于碳化硅材料硬度高、脆性大、化学 2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
中频炉百度百科
中频炉是铸造锻造及热处理车间的主要设备， 其工作的稳定性、可靠性及安全性是流水作业的铸造锻造及热处理生产线正常稳定工作的保证。中频炉在热加工领域有着很好的发展前景如主要生产锻造锻前加热炉，透热炉以 2020年7月2日 1碳化硅烧结炉是生产碳化硅材料的关键设备，经该设备反应烧结的碳化硅产品，具有优良的工艺性能。 产品力度均匀，反应完全、化合含量高、质量好；配有脱蜡系统，强化脱蜡效果，炉内气氛更稳定； 碳化硅烧结炉湖南艾普德工业技术有限公司
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫 氏硬度达 95，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度 2023年6月27日 湖南三安董事长林志东就认为，国际巨头在前沿碳化硅领域不断拓展中国供应链“朋友圈”，这与消费电子厂商纳入“苹果产业链”体系有异曲同工之处。 “在碳化硅半导体产业发展中，国际巨头与国内企业合作是一种必然趋势。 ” 事实上，除了上述大厂 外资大扩本土“朋友圈”，碳化硅长约签不停 腾讯网
半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 3 天之前 六角形 ® SE 烧结碳化硅管是挤压产品，外径有 8 mm、127 mm、14 mm 和 19 mm，长度可达 45 m。 管与管板（PTFE、PFA 内衬钢或 SiC）和一系列放置在钢或玻璃壳内的挡板结合使用。 管子经过严格的质量控制和检查过程，包括在 165186 巴下对每根管子进行水压测试。 海 Hexoloy SE 烧结碳化硅管和 SA 管板 形状
碳化硅 ~ 制备难点 知乎
2023年3月13日 晶体制备 由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。 以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难： 温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输 2021年12月16日 5、国内发展与现状 我国感应加热技术的应用开始于20世纪50年代，发展主要是改革开放以后，主要用于机床、汽车、拖拉机等制造业。 感应加热集中在工件表面淬火，而熔炼和透热方面的应用较少。 感应加热的技术几乎全来自前苏联和捷克。 80年 国内外感应加热技术的应用及发展 知乎
碳化硅：第三代半导体核心材料新华网
2021年11月10日 碳化硅具有耐高压、高频、大功率等优良的物理特性，是第三代半导体材料，也是卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通信基站等重要领域的关键材料，在航天等极端环境应用领域里更有着不可替代的地位。 碳化硅产业链主要包含粉体、单晶材料 2019年9月2日 随着1978年的大面积碳化硅籽晶生长法的出现以及随后碳化硅薄膜制备技术的完备，碳化硅材料得到了进一步的发展。 随着碳化硅材料制造工艺的进一步发展，以及制造成本的不断下降，碳化硅材料将在高 碳化硅SIC材料研究现状与行业应用 知乎
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 在碳化硅器件的技术水平上，国内企业相对集中于基础二极管及中低压器件等低端领域，在对器件性能、可靠性要求较高的高端产品市场渗透率相对较低。 高压器件方面的国产化，最近也开始出现一些好 IGBT中频感应加热的工作原理及设备 （1）IGBT中频电源是一种采用串联谐振式的中频感应熔炼炉，它的逆变器件为一种新型IGBT中频感应炉模块（ 绝缘栅双极型晶体管 ，德国生产），它主要用于熔炼普通碳素钢、合金钢、铸钢、有色金属。 它具有熔化速度快 中频感应百度百科
SiC发展神速设备XFab碳化硅
SiC发展神速 11:12 发布于：湖南省 来源：半导体芯科技编译 全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。 自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。 现在，没有人怀疑电动汽车的 2023年7月18日 中频烧结炉 真空中频烧结炉是周期作业式电炉，广泛用于硬质合金、高温合金、光电材料、功能陶瓷、透明陶瓷、粉末冶金等在高温、高真空和保护气氛条件下进行烧结处理。 同时也适用于科研、军工单位、工业单位对难熔合金如钨、钼及其合金的粉末成型 中频烧结炉远航工业炉
【科普】一文带你了解碳化硅的产业链结构及应用领域 知乎
2023年3月31日 碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。 在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。 因其优越的物理 2023年7月17日 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。 长晶工 晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
碳化硅电源方案行业领先，欣锐科技：多款新车型配套市场打开
2022年7月6日 1）在硬件上，欣锐是全球最早进行碳化硅电源产品研发生产的企业之一，其余参与企业还有比亚迪、特斯拉等。 公司于 2013 年正式将科锐（CREE，现更名为 Wolfspeed）的碳化硅方案正式应用于车载电源，多款应用碳化硅的产品已实现量产。2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网
感应炉百度百科
利用电磁感应原理熔化金属的工业炉。感应炉采用的交流电源有工频（50 Hz或60 Hz）、中频（60～10000 Hz）和高频（高于10000 Hz）3种。感应炉分感应熔炼炉和感应加热设备两类。前者用于物料的熔炼或保温，炉料最终呈液态状；后者用于物料的加热，包括物料整体均匀加热、表面加热或局部加热。2021年12月24日 第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高， 饱和电子 漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。 SIC晶体具有与GaN材料高匹配的 晶格常数 我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比 知乎
2020年6月16日 半导体制造之设备篇 半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但 2023年8月14日 什么是晶圆退火工艺？ 晶圆退火工艺是一种热处理过程，通过将晶圆加热到一定温度，并在此温度下保持一段时间，然后以受控的速度冷却，以达到改善材料的微观结构和性能的目的。 温度设定 ：退火温度的选择通常与材料的特性有关。 温度必须足够高 聊聊常见的晶圆退火工艺 知乎
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网
2023年6月30日 根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验 2010年12月6日 附件：部分工业行业淘汰落后生产工艺装备和产品指导目录（2010年本） 二 一 年十月十三日 附件： 部分工业行业淘汰落后生产工艺装备和产品指导目录 (2010年本) 一、 钢铁 1 30平方米以下烧结机 2 90平方米以下烧结机（2013年） 3 8平方米以下球团 部分工业行业淘汰落后生产工艺装备和产品指导目录（2010
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 2021年1月14日 4功率器件制造 采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。碳化 硅 产业 链 设备【详解】华为认为中高压SiC器件成熟在即 相关仪器设备需求
中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。 国内碳化硅产业起步较晚。 衬底方面，科锐和II 2020年6月16日 碳化硅器件的制备方面，个人理解主要有 1 光刻对准，相较于传统硅片，双面抛光的碳化硅晶圆是透明的，光刻对准是一个难点 2 离子注入和退火激活工艺，由于碳化硅材料的特性，制备器件时掺杂只能靠离子注入的方式，而且需要高能粒子注入。碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料高温
2023年1月4日 制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC沉底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。